晶圆检测是半导体制造中的关键环节，其相关参数包括TTV（总厚度偏差）、表面粗糙度、翘曲度等，直接影响芯片的性能和良率。
然而，当前主流检测技术存在一定局限性：白光干涉技术虽能高精度表征表面形貌，但仅局限于二维形貌测量，无法获取亚表面结构信息；光谱共焦技术虽具备垂直方向的高分辨率，但单次扫描检测点数有限，效率难以满足大规模生产需求。
相比之下，OCT技术展现出显著优势：1）兼具微米级纵向分辨率（可达1μm）和毫米级穿透深度，可同步检测表面形貌与亚表面缺陷（如划痕、分层）；2）非接触式全场成像能力实现每秒数万点的高速扫描，较光谱共焦提升1-2个数量级。
